AI 精筛投资亮点 (Highlights)
- 主驱逆变器向 800V 高压架构演进，驱动碳化硅 (SiC) 渗透率加速提升，预计 2026 年车载渗透率将突破 60%。
- 国内衬底厂商良率突破 65% 临界点，8英寸外延片量产使得器件综合成本有望在两年内降低 30%。
- 车规级芯片封测环节国产化率较低，是目前产业链弹性最大且估值合理的投资靶区。
公开研报精选
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2026年中国车载第三代半导体产业演进与投资机会研判
AI 精筛核心风险提示 (Risks)
- 国际一线大厂衬底产能快速释放可能引发价格战，导致二线衬底厂商利润率承压。
- 硅基 IGBT 在 400V 及以下中低端车型中仍具极强性价比，SiC 在下沉市场的替代速度可能放缓。
智投研 AI 综合投资研判 (AI Opinion)
车载 SiC 赛道已步入“良率突破与成本下行”的双螺旋增长期。建议重点关注具备8英寸衬底量产能力、且已通过车规验证的头部外延与器件一体化厂商。当前行业平均 PE 估值已回落至 25-30 倍，具备中长期配置价值。